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CY7C1370DV25-200AXC

CY7C1370DV25-200AXC

数据手册.pdf

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 18Mb（512K x 36） 并联 100-TQFP（14x20）


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CY7C1370DV25-200AXC


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CY7C1370DV25-200AXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50 V, 2.63 V max

时钟频率 200MHz max

位数 36

存取时间 3 ns

内存容量 18000000 B

存取时间Max 3 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

高度 1.4 mm

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1370DV25-200AXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1370DV25-200AXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1370DV25-200AXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1370DV25-200AXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CY7C1370DV25-200AXC

品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装： 100TQFP 18000000B 2.5V 200us 100Pin

当前型号

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

当前型号

型号： CY7C1370DV25-200AXCT

品牌： 赛普拉斯

封装： TQFP 18000000B 2.5V 200us 100Pin

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型号： CY7C1370KV25-200AXC

品牌： 赛普拉斯

封装：

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