输出接口数 1
通道数 2
耗散功率 12 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30 V
输入电压Max 27 V
输出电压Max 1 V
输出电流Max 25 A
输入电容Ciss 3190pF @15VVds
额定功率Max 12 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LSON-CLIP-8
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.5 mm
封装 LSON-CLIP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
CSD87353Q5D引脚图
CSD87353Q5D封装图
CSD87353Q5D封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD87353Q5D | TI 德州仪器 | 30V 同步降压 NexFET™ 电源块 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD87353Q5D 品牌： TI 德州仪器 封装： 8-PowerLDFN | 当前型号 | 30V 同步降压 NexFET™ 电源块 | 当前型号 |
| 型号： CSD87330Q3D 品牌： 德州仪器 封装： LSON Dual N-Channel | 类似代替 | 30V 同步降压 NexFET™ 电源块 | CSD87353Q5D和CSD87330Q3D的区别 |
| 型号： CSD87331Q3D 品牌： 德州仪器 封装： LSON Dual N-Channel | 类似代替 | 30V 同步降压 NexFET™ 电源块 | CSD87353Q5D和CSD87331Q3D的区别 |
| 型号： CSD87350Q5D 品牌： 德州仪器 封装： LSON Dual N-Channel | 类似代替 | 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对 | CSD87353Q5D和CSD87350Q5D的区别 |
