C3225X7R1H475K250AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C3225X7R1H475K250AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.50 mm
高度 2.5 mm
封装公制 3225
封装 1210
厚度 2.5 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±15 %
其他
产品生命周期 Production Not Recommended for New Design
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 500
制造应用 Commercial Grade, 通用, 电源管理, Consumer Electronics, 工业, 消费电子产品, Portable Devices, 医用, Please refer to Part No., Power Management, for Automotive use., Industrial, 便携式器材
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
C3225X7R1H475K250AB引脚图与封装图 
C3225X7R1H475K250AB引脚图
C3225X7R1H475K250AB封装图
C3225X7R1H475K250AB封装焊盘图
在线购买C3225X7R1H475K250AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C3225X7R1H475K250AB | TDK 东电化 | TDK C3225X7R1H475K250AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1210 [3225 公制] | 搜索库存 |
替代型号C3225X7R1H475K250AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C3225X7R1H475K250AB 品牌： TDK 东电化 封装： 3225 4.7uF 50V 10per | 当前型号 | TDK C3225X7R1H475K250AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1210 [3225 公制] | 当前型号 |
| 型号： GRM32ER71H475KA88L 品牌： 村田 封装： 4.7µF 50V ±10% | 完全替代 | MURATA GRM32ER71H475KA88L 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1210 [3225 公制] | C3225X7R1H475K250AB和GRM32ER71H475KA88L的区别 |
| 型号： CGA6P3X7R1H475K250AB 品牌： 东电化 封装： 4.7uF 50V 10per | 完全替代 | TDK CGA6P3X7R1H475K250AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1210 [3225 公制] | C3225X7R1H475K250AB和CGA6P3X7R1H475K250AB的区别 |
| 型号： C1210X475K5RACAUTO 品牌： 基美 封装： 4.7uF 50V 10per | 类似代替 | KEMET C1210X475K5RACAUTO 多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 C系列, 4.7 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 1210 [3225 公制] | C3225X7R1H475K250AB和C1210X475K5RACAUTO的区别 |