C2012X6S1A685K125AB
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012X6S1A685K125AB中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
电容 6.8 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X6S
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 X6S/-55℃~+105℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 105℃
其他
产品生命周期 Production Not Recommended for New Design
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
制造应用 通用, Commercial Grade
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012X6S1A685K125AB引脚图与封装图 
C2012X6S1A685K125AB引脚图
C2012X6S1A685K125AB封装图
C2012X6S1A685K125AB封装焊盘图
在线购买C2012X6S1A685K125AB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012X6S1A685K125AB | TDK 东电化 | C 系列 0805 6.8 uF 10 V ±10% 容差 X6S 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号C2012X6S1A685K125AB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012X6S1A685K125AB 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 6.8uF 10V 10per | 当前型号 | C 系列 0805 6.8 uF 10 V ±10% 容差 X6S 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： C2012X6S1A685K085AC 品牌： 东电化 封装： 2012 6.8uF 10per 10V X6S | 完全替代 | 0805 6.8uF ±10% 10V X6S | C2012X6S1A685K125AB和C2012X6S1A685K085AC的区别 |
| 型号： C2012X6S1A685M125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 6.8uF 20per 10V X6S | 功能相似 | 0805 6.8uF ±20% 10V X6S | C2012X6S1A685K125AB和C2012X6S1A685M125AB的区别 |
| 型号： C2012X6S1C685K125AC 品牌： 东电化 封装： 2012 6.8uF 10per 16V X6S | 功能相似 | 0805 6.8uF ±10% 16V X6S | C2012X6S1A685K125AB和C2012X6S1C685K125AC的区别 |