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CSD19535KTTT

CSD19535KTTT

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK


立创商城:
CSD19535KTTT


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 3.4 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KTTT, 200 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


贸泽:
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin3+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 300W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 4-Pin3+Tab TO-263 T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD19535KTTT  MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V


CSD19535KTTT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 7930pF @50VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD19535KTTT引脚图与封装图
CSD19535KTTT引脚图

CSD19535KTTT引脚图

CSD19535KTTT封装图

CSD19535KTTT封装图

CSD19535KTTT封装焊盘图

CSD19535KTTT封装焊盘图

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