通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 12000pF @50VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
CSD19536KCS引脚图
CSD19536KCS封装图
CSD19536KCS封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19536KCS | TI 德州仪器 | 100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19536KCS | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19536KCS 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 100V 150A | 当前型号 | 100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19536KCS | 当前型号 |
| 型号： CSD19531KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 100V 100A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3 | CSD19536KCS和CSD19531KCS的区别 |
| 型号： CSD19535KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 150A | 类似代替 | 100V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD19535KCS | CSD19536KCS和CSD19535KCS的区别 |
| 型号： CSD19533KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 100A | 类似代替 | 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS | CSD19536KCS和CSD19533KCS的区别 |
