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CSD17559Q5T

CSD17559Q5T

TI(德州仪器) 分立器件

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 100A(Ta) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET


立创商城:
CSD17559Q5T


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.5 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
This 30 V, 0.95 mΩ, 5 × 6 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in synchronous rectification and other power conversion applications.


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD17559Q5T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 41 ns

输入电容Ciss 7070pF @15VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

CSD17559Q5T引脚图与封装图
CSD17559Q5T引脚图

CSD17559Q5T引脚图

CSD17559Q5T封装图

CSD17559Q5T封装图

CSD17559Q5T封装焊盘图

CSD17559Q5T封装焊盘图

在线购买CSD17559Q5T
型号 制造商 描述 购买
CSD17559Q5T TI 德州仪器 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD17559Q5T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17559Q5T

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-CLIP N-CH 30V 100A

当前型号

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

当前型号

型号: CSD17559Q5

品牌: 德州仪器

封装: VSON-Clip-8 N-Channel 30V 100A

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