通道数 1
漏源极电阻 0.0024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 216 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 4680pF @20VVds
额定功率Max 216 W
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 259W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD18502KCS引脚图
CSD18502KCS封装图
CSD18502KCS封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18502KCS | TI 德州仪器 | 40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18502KCS 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-220 N-Channel 40V 100A | 当前型号 | 40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BUK753R1-40E 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 40V 100A | 功能相似 | NXP BUK753R1-40E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V | CSD18502KCS和BUK753R1-40E的区别 |
