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CSD18532Q5BT

CSD18532Q5BT

TI(德州仪器) 分立器件

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

N-Channel 60V 100A Ta 3.2W Ta, 156W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


立创商城:
CSD18532Q5BT


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.2 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD18532Q5BT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 156 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 7.2 ns

输入电容Ciss 5070pF @30VVds

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

CSD18532Q5BT引脚图与封装图
CSD18532Q5BT引脚图

CSD18532Q5BT引脚图

CSD18532Q5BT封装图

CSD18532Q5BT封装图

CSD18532Q5BT封装焊盘图

CSD18532Q5BT封装焊盘图

在线购买CSD18532Q5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD18532Q5BT TI 德州仪器 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD18532Q5BT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18532Q5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-Clip-8 N-CH 60V 100A

当前型号

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

当前型号

型号: CSD18532Q5B

品牌: 德州仪器

封装: 8-PowerTDFN N-Channel 60V 100A

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