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CL32A107MQVNNNF

CL32A107MQVNNNF

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CL32 系列 1210 100 uF 6.3 V ±20 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容

MLCC-多层陶瓷器


得捷:
CAP CER 100UF 6.3V X5R 1210


艾睿:
Cap Ceramic 100uF 6.3V X5R 20% Pad SMD 1210 85°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 100uF 6.3V X5R 20% SMD 1210 85°C Embossed T/R


Verical:
Cap Ceramic 100uF 6.3V X5R 20% Pad SMD 1210 85C T/R


儒卓力:
**KC 100uF 1210 20% 6,3V X5R S **


CL32A107MQVNNNF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.30 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 100 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 2.5 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL32A107MQVNNNF引脚图与封装图
CL32A107MQVNNNF引脚图

CL32A107MQVNNNF引脚图

CL32A107MQVNNNF封装图

CL32A107MQVNNNF封装图

CL32A107MQVNNNF封装焊盘图

CL32A107MQVNNNF封装焊盘图

在线购买CL32A107MQVNNNF
型号 制造商 描述 购买
CL32A107MQVNNNF Samsung 三星 CL32 系列 1210 100 uF 6.3 V ±20 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL32A107MQVNNNF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL32A107MQVNNNF

品牌: Samsung 三星

封装: 1210 100uF 6.3V 20per

当前型号

CL32 系列 1210 100 uF 6.3 V ±20 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容

当前型号

型号: CL32A107MQVNNNE

品牌: 三星

封装: 1210 100uF 6.3V 20per

完全替代

Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列

CL32A107MQVNNNF和CL32A107MQVNNNE的区别

型号: JMK325BJ107MM-T

品牌: 太诱

封装: 1210 100µF 6.3V ±20%

类似代替

TAIYO YUDEN  JMK325BJ107MM-T  多层陶瓷电容器, 表面贴装, M系列, 100 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 1210 [3225 公制]

CL32A107MQVNNNF和JMK325BJ107MM-T的区别

型号: GRM32ER60J107ME20K

品牌: 村田

封装: 1210 100uF 6.3V 20per

类似代替

1210 3225 100 uF 6.3 V X5R ±20 % 表面贴装 多层陶瓷电容

CL32A107MQVNNNF和GRM32ER60J107ME20K的区别