CSD16570Q5B
TI(德州仪器)
分立器件
CSD16570Q5B，25V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻，并不是专用于开关应用。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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- 极低电阻
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装
## 应用范围
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- ORing 和热插拔应用
