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CSD18542KCS

CSD18542KCS

TI(德州仪器) 分立器件

CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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逻辑电平
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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晶体管 TO-220 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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电机控制

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CSD18542KCS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.0 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 5070pF @30VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

CSD18542KCS引脚图与封装图
CSD18542KCS引脚图

CSD18542KCS引脚图

CSD18542KCS封装图

CSD18542KCS封装图

CSD18542KCS封装焊盘图

CSD18542KCS封装焊盘图

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