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CSD18531Q5AT

CSD18531Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)


立创商城:
CSD18531Q5AT


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.6 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 134A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD18531Q5AT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 3840pF @30VVds

下降时间 2.7 ns

耗散功率Max 3.1W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CSD18531Q5AT引脚图与封装图
CSD18531Q5AT引脚图

CSD18531Q5AT引脚图

CSD18531Q5AT封装图

CSD18531Q5AT封装图

CSD18531Q5AT封装焊盘图

CSD18531Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD18531Q5AT
型号 制造商 描述 购买
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