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CSD16556Q5B

CSD16556Q5B

TI(德州仪器) 分立器件

25V NexFET N 通道功率 MosFET

这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。

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超低电阻
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超低 Qg和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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已针对同步场效应 FET 应用进行优化

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CSD16556Q5B中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 6180pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 191W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16556Q5B引脚图与封装图
CSD16556Q5B引脚图

CSD16556Q5B引脚图

CSD16556Q5B封装图

CSD16556Q5B封装图

CSD16556Q5B封装焊盘图

CSD16556Q5B封装焊盘图

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