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CSD19533Q5AT

CSD19533Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

表面贴装型 N 通道 100 V 100A(Ta) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSONP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON


立创商城:
CSD19533Q5AT


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 9.5 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin SON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD19533Q5AT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 2050pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD19533Q5AT引脚图与封装图
CSD19533Q5AT引脚图

CSD19533Q5AT引脚图

CSD19533Q5AT封装图

CSD19533Q5AT封装图

CSD19533Q5AT封装焊盘图

CSD19533Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD19533Q5AT
型号 制造商 描述 购买
CSD19533Q5AT TI 德州仪器 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD19533Q5AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19533Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP N-CH 100V 100A

当前型号

100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150

当前型号

型号: CSD19533Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 100V 100A

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