极性 N-CH
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 13600pF @15VVds
下降时间 74 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
封装 VSON-Clip-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
CSD17570Q5B引脚图
CSD17570Q5B封装图
CSD17570Q5B封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17570Q5B | TI 德州仪器 | 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17570Q5B 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 N-CH 30V 100A | 当前型号 | 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17570Q5B | 当前型号 |
| 型号： CSD17570Q5BT 品牌： 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 N-CH 30V 100A | 类似代替 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments | CSD17570Q5B和CSD17570Q5BT的区别 |
