针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 9200pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 8-VSON-CLIP
长度 6.1 mm
宽度 5.1 mm
高度 1.05 mm
封装 8-VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD17559Q5引脚图
CSD17559Q5封装图
CSD17559Q5封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17559Q5 | TI 德州仪器 | 30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17559Q5 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 N-Channel 30V 100A | 当前型号 | 30V N 通道 NexFET 功率 Mosfet | 当前型号 |
| 型号： CSD17559Q5T 品牌： 德州仪器 封装： VSON-CLIP N-CH 30V 100A | 类似代替 | 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | CSD17559Q5和CSD17559Q5T的区别 |
| 型号： BSC011N03LS 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-Channel 30V 37A | 功能相似 | INFINEON BSC011N03LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V | CSD17559Q5和BSC011N03LS的区别 |
| 型号： BSC011N03LSI 品牌： 英飞凌 封装： TDSON-8 N-Channel 30V 37A | 功能相似 | Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | CSD17559Q5和BSC011N03LSI的区别 |
