CBR1F-D020

Central Semiconductor 主动器件

200V 1A

桥式整流器 Single Phase 标准 200 V 通孔 A 外壳

得捷:
BRIDGE RECT 1P 200V 1A A CASE

艾睿:
Diode Rectifier Bridge Single 200V 1A 4-Pin DIP Sleeve

CBR1F-D020中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.3V @1A

反向恢复时间 200 ns

最大反向电压（Vrrm） 200V

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CBR1F-D020引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
CBR1F-D020	Central Semiconductor	200V 1A	搜索库存

替代型号CBR1F-D020

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CBR1F-D020 品牌： Central Semiconductor 封装： 4-Circular	当前型号	200V 1A	当前型号
型号： CBR1-D020 品牌： Central Semiconductor 封装： 4-DIP	类似代替	200V 1A	CBR1F-D020和CBR1-D020的区别
型号： DB1B 品牌： Harris 封装：	功能相似	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V VRRM, Silicon	CBR1F-D020和DB1B的区别
型号： EDB104 品牌： Rectron Semiconductor 封装：	功能相似	GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER	CBR1F-D020和EDB104的区别