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CBR1F-D020、EDB104、EDF1DM-E3/45对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR1F-D020 EDB104 EDF1DM-E3/45

描述 200V 1AGLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERVISHAY  EDF1DM-E3/45  桥式整流器, 单相, 1A, 200V 通孔安装

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Rectron Semiconductor Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管桥式整流器

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 4 - 4

封装 DIP-4 - DIP-4

针脚数 - - 4

正向电压 1.3V @1A - 1.05V @1A

反向恢复时间 200 ns - 50 ns

正向电流 1 A - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A - 50 A

正向电压(Max) - - 1.05 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

最大反向电压(Vrrm) 200V - -

长度 - - 8.51 mm

宽度 - - 6.5 mm

高度 - - 3.3 mm

封装 DIP-4 - DIP-4

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -