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CSD18533Q5AT

CSD18533Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.9mΩ 8-VSONP -55 to 150

Description

This 4.7 mΩ, 60 V, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power

conversion applications.

Features

• Ultra Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Logic Level

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

Applications

• DC-DC Conversion

• Secondary Side Synchronous Rectifier

• Motor Control


得捷:
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON


立创商城:
CSD18533Q5AT


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSONP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 17A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18533Q5AT  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 1.9 V


CSD18533Q5AT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0047 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 116 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 2750pF @30VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 116W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18533Q5AT引脚图与封装图
CSD18533Q5AT引脚图

CSD18533Q5AT引脚图

CSD18533Q5AT封装图

CSD18533Q5AT封装图

CSD18533Q5AT封装焊盘图

CSD18533Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD18533Q5AT
型号 制造商 描述 购买
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