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CSD16403Q5A

CSD16403Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON


立创商城:
N沟道 25V 28A


欧时:
CSD16403Q5A, TransMOSFETN-CH


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.7 mOhm


贸泽:
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD16403Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.6 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD16403Q5A  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 25 V, 2.2 mohm, 10 V, 1.6 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON


CSD16403Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 18.3 ns

输入电容Ciss 2660pF @12.5VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 9.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16403Q5A引脚图与封装图
CSD16403Q5A引脚图

CSD16403Q5A引脚图

CSD16403Q5A封装图

CSD16403Q5A封装图

CSD16403Q5A封装焊盘图

CSD16403Q5A封装焊盘图

在线购买CSD16403Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD16403Q5A TI 德州仪器 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD16403Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD16403Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 25V 100A

当前型号

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD16413Q5A

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 25V 100A

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