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CSD18531Q5A

CSD18531Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


立创商城:
CSD18531Q5A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.6 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 19A 8-Pin SON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 8SON


CSD18531Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 3840pF @30VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 2.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 156W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2017/07/07

CSD18531Q5A引脚图与封装图
CSD18531Q5A引脚图

CSD18531Q5A引脚图

CSD18531Q5A封装图

CSD18531Q5A封装图

CSD18531Q5A封装焊盘图

CSD18531Q5A封装焊盘图

在线购买CSD18531Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD18531Q5A TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18531Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 60V 100A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18531Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 V

当前型号

型号: IRLH5036TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 20A

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