C2012X5R1A226M085AC
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012X5R1A226M085AC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 22 µF
容差 ±20 %
电介质特性 X5R
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.85 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 0.85 mm
物理参数
材质 X5R/-55℃~+85℃
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 85℃
温度系数 ±15 %
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 4000
制造应用 Commercial Grade, 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
C2012X5R1A226M085AC引脚图与封装图 
C2012X5R1A226M085AC引脚图
C2012X5R1A226M085AC封装图
C2012X5R1A226M085AC封装焊盘图
在线购买C2012X5R1A226M085AC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012X5R1A226M085AC | TDK 东电化 | TDK C2012X5R1A226M085AC 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 22 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制] | 搜索库存 |
替代型号C2012X5R1A226M085AC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012X5R1A226M085AC 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 22uF 10V 20per | 当前型号 | TDK C2012X5R1A226M085AC 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 22 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制] | 当前型号 |
| 型号： C2012X5R1A226M125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 22uF 10V 20per | 完全替代 | TDK C2012X5R1A226M125AB 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C Series, 22 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制] 新 | C2012X5R1A226M085AC和C2012X5R1A226M125AB的区别 |
| 型号： GRM21BR61A226ME51L 品牌： 村田 封装： 0805 22µF 10V ±20% | 类似代替 | MURATA GRM21BR61A226ME51L 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 22 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制] | C2012X5R1A226M085AC和GRM21BR61A226ME51L的区别 |
| 型号： GRM219R61A226MEA0D 品牌： 村田 封装： 0805 22µF 10V ±20% | 类似代替 | Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小，电容值大，采用多层结构 高可靠性，无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | C2012X5R1A226M085AC和GRM219R61A226MEA0D的区别 |