针脚数 3
漏源极电阻 0.0137 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 118 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 2 ns
正向电压Max 1.1 V
输入电容Ciss 1290pF @50VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 118W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
CSD19534KCS引脚图
CSD19534KCS封装图
CSD19534KCS封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD19534KCS | TI 德州仪器 | CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD19534KCS 品牌： TI 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 100A | 当前型号 | CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： AUIRF3710Z 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 100V 59A | 功能相似 | INFINEON AUIRF3710Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 V | CSD19534KCS和AUIRF3710Z的区别 |
