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CSD16407Q5C

CSD16407Q5C

TI(德州仪器) 分立器件

DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

表面贴装型 N 通道 25 V 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Texas Instruments&s; CSD16407Q5C power MOSFET. Its maximum power dissipation is 3100 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes nexfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD16407Q5C  MOSFET Transistor, DualCool™, N Channel, 100 A, 25 V, 0.0018 ohm, 4.5 V, 1.6 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON


CSD16407Q5C中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 18.4 ns

输入电容Ciss 2660pF @12.5VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

宽度 5 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16407Q5C引脚图与封装图
CSD16407Q5C引脚图

CSD16407Q5C引脚图

CSD16407Q5C封装图

CSD16407Q5C封装图

CSD16407Q5C封装焊盘图

CSD16407Q5C封装焊盘图

在线购买CSD16407Q5C
型号 制造商 描述 购买
CSD16407Q5C TI 德州仪器 DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD16407Q5C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD16407Q5C

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 25V 100A

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封装: SMD N-Channel 25V 100A

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