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CSD16408Q5C

CSD16408Q5C

TI(德州仪器) 分立器件

DualCool™ N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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Ultra Low Qg and Qgd
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DualCool™ Package
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Optimized for 2-Sided Cooling
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Low Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Pb Free Terminal Plating
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
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APPLICA ONS
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Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom and Computing Systems

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Optimized for Control FET Applications

DualCool, NexFET are trademarks of Texas Instruments.

CSD16408Q5C中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 113 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1300pF @12.5VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 10.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16408Q5C引脚图与封装图
CSD16408Q5C引脚图

CSD16408Q5C引脚图

CSD16408Q5C封装图

CSD16408Q5C封装图

CSD16408Q5C封装焊盘图

CSD16408Q5C封装焊盘图

在线购买CSD16408Q5C
型号 制造商 描述 购买
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替代型号CSD16408Q5C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD16408Q5C

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 25V 113A

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