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CSD17305Q5A

CSD17305Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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Optimized for 5V Gate Drive
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Ultralow Qg and Qgd
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Low Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Pb Free Terminal Plating
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
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APPLICA ONS
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Notebook Point of Load
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Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
CSD17305Q5A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 2600pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 7.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

封装 VSON-FET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17305Q5A引脚图与封装图
CSD17305Q5A引脚图

CSD17305Q5A引脚图

CSD17305Q5A封装图

CSD17305Q5A封装图

CSD17305Q5A封装焊盘图

CSD17305Q5A封装焊盘图

在线购买CSD17305Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD17305Q5A TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD17305Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17305Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 30V 100A

当前型号

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