通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 23.5A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 3252pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 5.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD17553Q5A引脚图
CSD17553Q5A封装图
CSD17553Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17553Q5A | TI 德州仪器 | N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17553Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-CH 30V 23.5A | 当前型号 | N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A | 当前型号 |
| 型号： CSD17555Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-CH 30V 24A | 类似代替 | 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5A | CSD17553Q5A和CSD17555Q5A的区别 |
| 型号： FDMS7660 品牌： 飞兆/仙童 封装： PQFN N-Channel 30V 25A | 功能相似 | MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | CSD17553Q5A和FDMS7660的区别 |
