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CSD17306Q5A

CSD17306Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


立创商城:
N沟道 30V 24A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17306Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0029 ohm, 8 V, 1.1 V


艾睿:
This CSD17306Q5A power MOSFET from Texas Instruments can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 3200 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON


CSD17306Q5A中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 2.9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100 A

上升时间 13.1 ns

输入电容Ciss 2170pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17306Q5A引脚图与封装图
CSD17306Q5A引脚图

CSD17306Q5A引脚图

CSD17306Q5A封装图

CSD17306Q5A封装图

CSD17306Q5A封装焊盘图

CSD17306Q5A封装焊盘图

在线购买CSD17306Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD17306Q5A TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD17306Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17306Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 30V 100A

当前型号

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封装: SON N-Channel 30V 100A

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