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CSD25404Q3T

CSD25404Q3T

TI(德州仪器) 分立器件

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

P-Channel 20V 104A Tc 2.8W Ta, 96W Tc Surface Mount 8-VSON 3.3x3.3


欧时:
20V P-Ch NexFET MOSFET VSON-CLIP8


得捷:
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON


立创商城:
P沟道 20V 104A


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm


贸泽:
MOSFET -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
MOS Power Transistors LV < 200V


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD25404Q3T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2120pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

CSD25404Q3T引脚图与封装图
CSD25404Q3T引脚图

CSD25404Q3T引脚图

CSD25404Q3T封装图

CSD25404Q3T封装图

CSD25404Q3T封装焊盘图

CSD25404Q3T封装焊盘图

在线购买CSD25404Q3T
型号 制造商 描述 购买
CSD25404Q3T TI 德州仪器 -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD25404Q3T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD25404Q3T

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-CLIP P-CH 20V 60A

当前型号

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

当前型号

型号: CSD25404Q3

品牌: 德州仪器

封装: VSON-Clip-8

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