通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 16.6 ns
输入电容Ciss 1350pF @12.5VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
CSD16342Q5A引脚图
CSD16342Q5A封装图
CSD16342Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD16342Q5A | TI 德州仪器 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET... | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD16342Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 25V 21A | 当前型号 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET... | 当前型号 |
| 型号： CSD16404Q5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 25V 81A | 类似代替 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16342Q5A和CSD16404Q5A的区别 |
| 型号： CSD16406Q3 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 25V 60A | 功能相似 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16342Q5A和CSD16406Q3的区别 |
| 型号： CSD16340Q3 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 25V 60A | 功能相似 | 25V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD16342Q5A和CSD16340Q3的区别 |
