通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 116 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 1500pF @30VVds
额定功率Max 3.2 W
下降时间 1.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 116W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 5.8 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD18563Q5A引脚图
CSD18563Q5A封装图
CSD18563Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18563Q5A | TI 德州仪器 | 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18563Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： SON N-Channel 60V 100A | 当前型号 | 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A | 当前型号 |
| 型号： CSD18563Q5AT 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 60V 100A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V | CSD18563Q5A和CSD18563Q5AT的区别 |
| 型号： CSD18537NQ5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel | 功能相似 | 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD18563Q5A和CSD18537NQ5A的区别 |
