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CSD18540Q5BT

CSD18540Q5BT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V

表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)


立创商城:
CSD18540Q5BT


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.2 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 100 A, 0.0018 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V


CSD18540Q5BT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4230pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

CSD18540Q5BT引脚图与封装图
CSD18540Q5BT引脚图

CSD18540Q5BT引脚图

CSD18540Q5BT封装图

CSD18540Q5BT封装图

CSD18540Q5BT封装焊盘图

CSD18540Q5BT封装焊盘图

在线购买CSD18540Q5BT
型号 制造商 描述 购买
CSD18540Q5BT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18540Q5BT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON N-Channel

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V

当前型号

型号: CSD18540Q5B

品牌: 德州仪器

封装: VSON-CLIP N-CH 60V 100A

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