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CSD18563Q5AT

CSD18563Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18563Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON


立创商城:
N沟道 60V 100A


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 6.8 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD18563Q5AT  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V


CSD18563Q5AT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0057 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 6.3 ns

输入电容Ciss 1150pF @30VVds

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.2W Ta, 116W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD18563Q5AT引脚图与封装图
CSD18563Q5AT引脚图

CSD18563Q5AT引脚图

CSD18563Q5AT封装图

CSD18563Q5AT封装图

CSD18563Q5AT封装焊盘图

CSD18563Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD18563Q5AT
型号 制造商 描述 购买
CSD18563Q5AT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD18563Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号CSD18563Q5AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18563Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 60V 100A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD18563Q5AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: CSD18563Q5A

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 60V 100A

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