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CSD16410Q5A

CSD16410Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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Ultra Low Qg and Qgd
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Low Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Pb Free Terminal Plating
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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SON 5mm × 6mm Plastic Package
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APPLICA ONS
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Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications

in Networking, Telecom and Computing Systems

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Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

CSD16410Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 59.0 A

上升时间 10.7 ns

输入电容Ciss 740pF @12.5VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-FET-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

高度 1 mm

封装 VSON-FET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD16410Q5A引脚图与封装图
CSD16410Q5A引脚图

CSD16410Q5A引脚图

CSD16410Q5A封装图

CSD16410Q5A封装图

CSD16410Q5A封装焊盘图

CSD16410Q5A封装焊盘图

在线购买CSD16410Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD16410Q5A TI 德州仪器 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD16410Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD16410Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-FET-8 N-Channel 25V 59A

当前型号

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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型号: CSD16412Q5A

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封装: SON N-Channel 25V 52A

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