CSD17522Q5A
TI(德州仪器)
分立器件
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
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- 针对 5V 栅极驱动而优化
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩额定
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- 无铅终端镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
CSD17522Q5A
TI(德州仪器)
分立器件
CSD17522Q5A中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 695pF @15VVds
下降时间 3.7 ns
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-8
外形尺寸
宽度 4.9 mm
封装 VSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CSD17522Q5A引脚图与封装图 
CSD17522Q5A引脚图
CSD17522Q5A封装图
CSD17522Q5A封装焊盘图
在线购买CSD17522Q5A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17522Q5A | TI 德州仪器 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
替代型号CSD17522Q5A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17522Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： SON N-CH 30V 16A | 当前型号 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD17527Q5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-CH 30V 13A | 类似代替 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD17522Q5A和CSD17527Q5A的区别 |
| 型号： CSD17506Q5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-Channel 30V 23A | 功能相似 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Vgs 为 20V | CSD17522Q5A和CSD17506Q5A的区别 |
| 型号： CSD17507Q5A 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 30V 65A | 功能相似 | 30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V | CSD17522Q5A和CSD17507Q5A的区别 |