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CGA4J3X7R1H474K125AB

CGA4J3X7R1H474K125AB

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK  CGA4J3X7R1H474K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制]

CGA 汽车 0805,X5R、X7R 和 Y5V 电介质

TDK 的 CGA 系列多层陶瓷器 MLCC 可提供高度可靠的解决方案。采用精密技术,该系列 MLCC 由多个薄型陶瓷电介质层构成,提供高电容。这些 MLCC 具有低 ESR,确保低自加热和高纹波电阻。CGA 多层器还具有低 ESL 和极佳的频率特性。

### 特点和优势:

出色的耐热性

更高的机械强度

卓越的可靠性

熟练的制造工艺,保证性能

提供一系列电介质

适用于高精度自动安装

低杂散电容

### 应用:

这些 MLCC 符合 AEC-Q200 标准,适用于汽车应用。典型应用包括汽车电池线路平滑、传感器模块和引擎控制单元。CAG 系列陶瓷电容器特别适用于防锁制动系统和汽车娱乐系统。其他推荐应用包括智能仪表、智能栅格、太阳能逆变器、交流-直流电池充电器、运输和农业。

### 0805 系列

镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。

CGA4J3X7R1H474K125AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 0.47 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 车用, Automotive Grade, Automotive, 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CGA4J3X7R1H474K125AB引脚图与封装图
CGA4J3X7R1H474K125AB引脚图

CGA4J3X7R1H474K125AB引脚图

CGA4J3X7R1H474K125AB封装图

CGA4J3X7R1H474K125AB封装图

CGA4J3X7R1H474K125AB封装焊盘图

CGA4J3X7R1H474K125AB封装焊盘图

在线购买CGA4J3X7R1H474K125AB
型号 制造商 描述 购买
CGA4J3X7R1H474K125AB TDK 东电化 TDK  CGA4J3X7R1H474K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制] 搜索库存
替代型号CGA4J3X7R1H474K125AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CGA4J3X7R1H474K125AB

品牌: TDK 东电化

封装: 0805 470nF 50V 10per

当前型号

TDK  CGA4J3X7R1H474K125AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, CGA系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制]

当前型号

型号: C2012X7R1H474K125AB

品牌: 东电化

封装: 2012 470nF 50V 10per

完全替代

TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CGA4J3X7R1H474K125AB和C2012X7R1H474K125AB的区别

型号: ESD55C474K4T2A-26

品牌: 艾维克斯

封装: 0805 470nF 50V ±10%

类似代替

AVX  ESD55C474K4T2A-26  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 MLCC系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制]

CGA4J3X7R1H474K125AB和ESD55C474K4T2A-26的区别

型号: GCM21BR71H474KA55L

品牌: 村田

封装: 0805 470nF 50V ±10%

功能相似

MURATA  GCM21BR71H474KA55L  多层陶瓷电容器, 表面贴装, AEC-Q200 GCM系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制]

CGA4J3X7R1H474K125AB和GCM21BR71H474KA55L的区别