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CSD16406Q3

CSD16406Q3

TI(德州仪器) 分立器件

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON


立创商城:
N沟道 25V 60A 19A


德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 7.4 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16406Q3, 79 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装


贸泽:
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  CSD16406Q3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0042 ohm, 4.5 V, 1.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD16406Q3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 25 V, 0.0042 ohm, 4.5 V, 1.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON


CSD16406Q3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.7 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 12.9 ns

输入电容Ciss 1100pF @12.5VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 4.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 电源管理

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD16406Q3引脚图与封装图
CSD16406Q3引脚图

CSD16406Q3引脚图

CSD16406Q3封装图

CSD16406Q3封装图

CSD16406Q3封装焊盘图

CSD16406Q3封装焊盘图

在线购买CSD16406Q3
型号 制造商 描述 购买
CSD16406Q3 TI 德州仪器 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD16406Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD16406Q3

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 25V 60A

当前型号

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD16340Q3

品牌: 德州仪器

封装: 8-PowerTDFN N-Channel 25V 60A

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封装: 8-PowerTDFN N-Channel 25V 60A

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