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CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT

TI(德州仪器) 分立器件

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、13.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

N-Channel 30V 25A Ta 3.1W Ta, 36W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON


立创商城:
CSD17579Q5AT


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17579Q5AT  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 30 V, 0.0084 ohm, 10 V, 1.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON


CSD17579Q5AT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0084 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1030pF @15VVds

下降时间 1 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-8

外形尺寸

封装 VSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17579Q5AT引脚图与封装图
CSD17579Q5AT引脚图

CSD17579Q5AT引脚图

CSD17579Q5AT封装图

CSD17579Q5AT封装图

CSD17579Q5AT封装焊盘图

CSD17579Q5AT封装焊盘图

在线购买CSD17579Q5AT
型号 制造商 描述 购买
CSD17579Q5AT TI 德州仪器 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、13.3mΩ 8-VSONP -55 to 150 搜索库存
替代型号CSD17579Q5AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17579Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-8 N-Channel 30V 14A

当前型号

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、13.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

当前型号

型号: CSD17579Q5A

品牌: 德州仪器

封装: SON-8 N-CH 30V 14A

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