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CSD75207W15

CSD75207W15

TI(德州仪器) 分立器件

双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD75207W15

器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145,7420247,7235845 和 6600182。

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双路 P 通道 MOSFET
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共源配置
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小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
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栅极 - 源电压钳位
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栅极静电放电 ESD 保护大于 4kV
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人体模型 HBM JEDEC 标准 JESD22-A114
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无铅且无卤素
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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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电池管理
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电池保护
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负载和输入开关
CSD75207W15中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 54 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 0.7 W

阈值电压 800 mV

上升时间 8.6 ns

输入电容Ciss 595pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 UFBGA-9

外形尺寸

封装 UFBGA-9

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD75207W15引脚图与封装图
CSD75207W15引脚图

CSD75207W15引脚图

CSD75207W15封装图

CSD75207W15封装图

CSD75207W15封装焊盘图

CSD75207W15封装焊盘图

在线购买CSD75207W15
型号 制造商 描述 购买
CSD75207W15 TI 德州仪器 双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD75207W15 搜索库存
替代型号CSD75207W15
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD75207W15

品牌: TI 德州仪器

封装: 9-UFBGA P-CH

当前型号

双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD75207W15

当前型号

型号: CSD75204W15

品牌: 德州仪器

封装: DSBGA P-Channel

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