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CSD13302W

CSD13302W

TI(德州仪器) 分立器件

CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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超低导通电阻
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低 Qg 和 Qgd
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1mm x 1mm 小尺寸封装
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低高度(高度为 0.62mm)
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无铅
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素

## 应用范围

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电池管理
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负载开关
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电池保护

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CSD13302W中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 862pF @6VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DSBGA-4

外形尺寸

封装 DSBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD13302W引脚图与封装图
CSD13302W引脚图

CSD13302W引脚图

CSD13302W封装图

CSD13302W封装图

CSD13302W封装焊盘图

CSD13302W封装焊盘图

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