![CPH6354-TL-H](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_56/chanpintu/cph6354-tl-h-EhsU0HDa-1jxMbDW6Z.png)
CPH6354-TL-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
通道数 1
漏源极电阻 100 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 600pF @20VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 40 ns
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH6354-TL-H引脚图与封装图
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在线购买CPH6354-TL-H
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CPH6354-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | CPH P-CH 60V 4A | 搜索库存 |
替代型号CPH6354-TL-H
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CPH6354-TL-H 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: CPH-6 P-CH 60V 4A | 当前型号 | CPH P-CH 60V 4A | 当前型号 | |
型号: CPH6354-TL-W 品牌: 安森美 封装: CPH-6 | 类似代替 | -60V,-4A,100mΩ,单N沟道功率MOSFET | CPH6354-TL-H和CPH6354-TL-W的区别 |