CPH6444-TL-E中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 78 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 9.8 ns
输入电容Ciss 505pF @20VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH6444-TL-E引脚图与封装图
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在线购买CPH6444-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH6444-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 4.5A,60V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号CPH6444-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH6444-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TSOT-23-6 N-Channel 60V 4.5A | 当前型号 | 4.5A,60V,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CPH6444-TL-W 品牌： 安森美 封装： CPH-6 N-CH 60V 4.5A | 类似代替 | 表面贴装型 N 通道 60V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH | CPH6444-TL-E和CPH6444-TL-W的区别 |