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CPH5524-TL-E

CPH5524-TL-E

数据手册.pdf

NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

双 NPN/PNP ,On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备


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CPH5524-TL-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

极性 NPN, PNP

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TSOT-23-5

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.9 mm

封装 TSOT-23-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

CPH5524-TL-E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CPH5524-TL-E ON Semiconductor 安森美 NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor 每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 搜索库存