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C1608X5R0J475M080AB

C1608X5R0J475M080AB

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK  C1608X5R0J475M080AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 0603 [1608 公制]

C 型系列,X5R

C 系列专业系列的 TDK 多层陶瓷片状器。由于具有低 ESR 和极佳的频率特性,适用于高频和高密度型电源。

### 特点和优势:

高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术

单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性

低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。

由于低 ESR,低自加热且耐高纹波

### 应用:

商用级,适用于一般应用,包括

一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑。

C1608X5R0J475M080AB中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.30 V

电容 4.7 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 6.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

厚度 800 µm

物理参数

材质 X5R/-55℃~+85℃

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 85℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

最小包装 4000

制造应用 for Automotive use., 通用, Please refer to Part No., Commercial Grade

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

C1608X5R0J475M080AB引脚图与封装图
C1608X5R0J475M080AB引脚图

C1608X5R0J475M080AB引脚图

C1608X5R0J475M080AB封装图

C1608X5R0J475M080AB封装图

C1608X5R0J475M080AB封装焊盘图

C1608X5R0J475M080AB封装焊盘图

在线购买C1608X5R0J475M080AB
型号 制造商 描述 购买
C1608X5R0J475M080AB TDK 东电化 TDK  C1608X5R0J475M080AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 0603 [1608 公制] 搜索库存
替代型号C1608X5R0J475M080AB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C1608X5R0J475M080AB

品牌: TDK 东电化

封装: 1608 4.7uF 6.3V 20per

当前型号

TDK  C1608X5R0J475M080AB  多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 0603 [1608 公制]

当前型号

型号: JMK107BJ475MK-T

品牌: 太诱

封装: 0603 4.7µF 6.3V ±20%

完全替代

TAIYO YUDEN  JMK107BJ475MK-T  多层陶瓷电容, 4.7uF, 6.3VDC, X5R, 0603

C1608X5R0J475M080AB和JMK107BJ475MK-T的区别

型号: GRM188R60J475ME19D

品牌: 村田

封装: 0603 4.7µF 6.3V ±20%

类似代替

MURATA  GRM188R60J475ME19D  多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 0603 [1608 公制]

C1608X5R0J475M080AB和GRM188R60J475ME19D的区别

型号: JMK107BJ475MA-T

品牌: 太诱

封装: 4.7µF 6.3V ±20%

功能相似

TAIYO YUDEN  JMK107BJ475MA-T  多层陶瓷电容器, 表面贴装, M系列, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 6.3 V, 0603 [1608 公制]

C1608X5R0J475M080AB和JMK107BJ475MA-T的区别