CPH5517-TL-E中文资料参数规格
技术参数
频率 420 MHz
针脚数 5
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 0.9 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 900 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TSOT-23-5
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 TSOT-23-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH5517-TL-E引脚图与封装图
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在线购买CPH5517-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH5517-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | NPN/PNP 晶体管，On Semiconductor 每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号CPH5517-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH5517-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： CPH-5 N-Channel 0.9W | 当前型号 | NPN/PNP 晶体管，On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |