
无卤素状态 Halogen Free
极性 P-CH
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.8A
上升时间 5.4 ns
输入电容Ciss 262pF @20VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CPH3351-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | 1.8A,-60V,P沟道MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CPH3351-TL-H 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 P-CH 60V 1.8A | 当前型号 | 1.8A,-60V,P沟道MOSFET | 当前型号 | |
型号: CPH3351-TL-W 品牌: 安森美 封装: TO-236 P-Channel 60V 1.8A | 类似代替 | CPH3351-TL-W 编带 | CPH3351-TL-H和CPH3351-TL-W的区别 | |
型号: SQ2361EES-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-236-3 | 功能相似 | MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V | CPH3351-TL-H和SQ2361EES-T1-GE3的区别 | |
型号: 2SJ626-T1B-AT 品牌: 瑞萨电子 封装: Thin-Type P-CH 60V 1.5A | 功能相似 | Thin-Type P-CH 60V 1.5A | CPH3351-TL-H和2SJ626-T1B-AT的区别 |