CSD23381F4
TI(德州仪器)
分立器件
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应 MOSFET 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。
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- 超低导通电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 高运行漏极电流
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- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
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- 1.0mm × 0.6mm
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- 超薄
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- 最大高度 0.35mm
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- 集成型静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 4kV 人体放电模式 HBM
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- 额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM
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- 无铅且无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了优化
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- 针对通用开关应用进行了优化
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- 电池类应用
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- 手持式和移动类应用
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