CPH5518-TL-H中文资料参数规格
技术参数
频率 420 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN+PNP
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 80V, 50V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 CPH-5
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 CPH-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH5518-TL-H引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH5518-TL-H | ON Semiconductor 安森美 | NPN/PNP 晶体管，On Semiconductor 每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |