CPH6001A-TL-E中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 11 dB
最小电流放大倍数hFE 90 @30mA, 5V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CPH6001A-TL-E引脚图与封装图
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在线购买CPH6001A-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH6001A-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | CPH6001A: 射频晶体管，12 V，100 mA，fT = 6.7 GHz | 搜索库存 |
替代型号CPH6001A-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH6001A-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-6 800mW | 当前型号 | CPH6001A: 射频晶体管，12 V，100 mA，fT = 6.7 GHz | 当前型号 |